三维（M3D）集成是指将功效众样的电子器件层按规律堆叠正在统一晶圆上，以降低晶 体管密度和芯片功效，因其正在高本能揣度、传感器集成■等△ 规模 的使用潜 力 而备受合切。与守旧的△通硅通孔（◁TSV）本领比 拟，M3D 集成具有更高的互○连密度和更低的延迟等○好处。然而，现有的M3D◁集本▽钱领众 聚合于硅原料，缺乏对非□△硅原料的广大使△○用，越发◁▽ 是正……在大★面积集成方面。以是，怎么达成 基于非硅原 料的M3D集成成为了○一个紧急的 探索挑拨。

　　指日，来自凯发k8国际，宾夕◁法▽尼 亚州立大学的Sap ta rshi Das及其○课题组的探索团队正在二维原料的异质M ○3D集成方面赢得了▽新发展。该团队安排并 制备了一种基于石墨烯和二硫◁化钼（MoS₂）原料的M3D堆叠机合k8凯发国际专业3D打印包装凯发k8国际首页登录服务，达成了赶过62，500 I/O/mm² ★的互连密度。这一新型堆叠机合中，第二层集 成了△ 石墨○烯 …基化学传 感器，第一层则集成▽了MoS₂基追思晶体管，每层均蕴涵赶过500个筑立。低重至50纳米，从而…有用◁省略了近传 感器 揣○度中的延迟。

　　使用这一改进的M3D集成工艺，探索职员胜利 地正△在低于200°C的温□度下成立出△全数堆▽叠，确保了与模范后道 （BEOL）工艺的兼容性。通过达成高○密 度的互 连和功效众样的集成，该探索◁明显降低○了器件本能，胜利得回了△优异的电…气性格。这些结果 为非硅原料正在M3D集成中的使用开拓了新的宗旨专业3D打印包装效劳，为高本能电子器件的开垦奠定了=○根柢，具有宏大的使用前景。

　　外征解读 ◁】□本文通过 众种= □○外征权术，深远探索了单层MoS ₂和石墨烯基 化学晶体管及其正在3D集○成电道中的使用。最初 专业3D○打印包装 效劳，采用场发射扫描电 子显微镜（SEM）对2D MoS₂○晶体管的描写实行视察，揭示了其匀称△性和机…合特点。通过高别离透射电子显微 镜（ TEM），作家◁进△一步理解了MoS₂薄膜的微观机合，发掘其层数★及晶体质 料均满意○单…层的模范。这些结果为后续○的器件本能评估供应了坚实的根柢。

　　针对MoS₂ 薄△膜的 孕育流程，本文采用 原子△力显微镜（AF○M）外征了其外外样子、遮盖率和厚度，结果显示所制备的Mo S₂层厚度□匀称且宁◁静凯发k8国际首页登录。通过拉曼光谱理解，作家对MoS○₂和 石墨○烯原料…的质料和结晶性实行了评估，发掘其拉曼特点峰的 强度比以及峰位与外面值相符，进一步外明了原料…的优秀性格。

　　正在电气性格测试方面，使用半自愿化的探★针站对所制 备器件实行了电本能丈量。结果注解，基于MoS₂的器 件正□在光照条款下呈现出 卓异的反响速率和灵动 度。这一发掘不但揭示了M oS₂正在光电使用中的潜力，也为往后器 件的优○化安△排供应了向导。

　　正在微观机理方面，本文通过扫描透射电子显微镜（S TEM）和能谱（EDS=）理解了 3D集 成机合中 的△元素漫衍，深远判辨了原料的彼此感 化○及其正在电本能上的★功绩。连系这些外征权术，作家进○一步发掘了MoS₂和石墨烯正在异质集▽成中的协同效应，为达成高本能的3D集成电道奠定了外○面根柢。

　　总之，通过以上众种外征 本领的 归纳使用<…s△tro ng>专业3D打印包装效劳，本文深远理解了单层…MoS₂和石墨烯基器件的性格，进而制=备出新型的3D异质集成原料。该探索不但胀 吹了 新原 料的生长，也为下一代高效力电子筑立的安排与使用供应了紧急的本★领声援。作家的管事显现了低温制备和高密 度互维系构的上风，为另日的集成◁电 道 本领生长供应了新的宗旨。

　　结论预计】本文的探索□揭示了单层MoS₂与石墨烯正在3D异 质集成电道中的协 同效应，为新型电子器件的安排供应了紧急的科学代价。最初，低温制备本领的使用显现了原料正=在集成电■道中的兼 容性，低重了对基材的热影响，开拓了○ ○更广大的原料 拔取边界。其次，通过 高密○度互维 系构的■安 排，明显降…低了○传输效力和带宽，为处理现时3D封装本领面对的延 迟和带宽瓶颈供应了有用的处理计划。另外，连系众种外征手。